回旋振蕩器的霍爾效應是磁電效應的一種,這一現象是美國物理學家霍爾于1879年在研究金屬的導電機構時發現的。當電流垂直于外磁場通過導體時,在導體的垂直于磁場和電流方向的兩個端面之間會出現電勢差,這一現象便是霍爾效應。這個電勢差也被叫做霍爾電勢差。
其實上面對
回旋振蕩器霍爾效應的介紹簡要的表明了霍爾效應的原理,詳細來說:在導體中,電子在電場作用下沿電流反方向運動,由于存在垂直于電流方向的磁場,電子受到洛倫茲力,產生偏轉,偏轉的方向垂直于電流方向和磁場方向,而導體中運動的是電子(正電荷只是相對于電子而運動),所以實際上只有電子運動并偏轉,這樣就產生了電勢差,兩面有電壓。在半導體中,有兩種載流子(空穴與自由電子),而它們的偏轉方向是相同的,產生的電壓也只是多數載流子與少數載流子之差,即表現了多數載流子的效果。正是因為這樣,所以才能利用霍爾效應來判斷N、P型半導體。